Studi Struktur Elektronik MoS2 dengan Metode Berbasis Density Functional Thory (DFT)

1.Abstract

MoS2 memberikan alternatif material dua dimensi yang memiliki bandgap sehingga dapat dimanfaatkan untuk pembuatan divais opto-elektronik. MoS2 dalam keadaan monolayer memberikan bandgap 1.8 eV dengan karakteristik direct bandgap. MoS�2 dalam keadaan bulk memiliki bandgap sebesar 1.29 eV dengan karakteristik indirect bandgap. Hal ini menunjukkan bahwa karakteristik struktur elektronik dari MoS2 menarik untuk dipelajari dengan memvariasikan berbagai paramter keadaan dari struktur MoS2. Karakteristik struktur elektronik dapat diamati dengan menggunakan metode komputasi berbasis Density Functional Theory (DFT). Dengan metode ini akan diamati struktur elektronik dari MoS2 dengan berbagai macam variasi parameter keadaan.

2.Keywords
Bandgap, DFT, MoS2
3.Objective

Studi karakteristik struktur elektronik dari MoS2 dengan berbagai keadaan yaitu bulk, monolayer, bilayer, dst. Kemudian di cari juga berbagai variasi parameter dari hasil studi literatur.

4.Methodology
5.Team

Imam Abdul Rahman

6.Computation plan (required processor core hours, data storage, software, etc)

Jumlah node yang dibutuhkan : 32 node (Atom yang dihitung banyak karena jumlah layer MoS2 bisa banyak)
Data storage : 100 GB
Software : PHASE0

7.Source of funding
8.Target/outputs
Tugas Akhir, Publikasi
9.Date of usage
19/10/2015 - 30/06/2016
10.Gpu usage
-
11.Supporting files
prop_1445240835.pdf
12.Created at
19/10/2015
13.Approval status
approved